Gunma University-Industry Collaboration and Intellectual Property Strategy Center
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C棟の装置・備品一覧list of device and equipment of the building C
設置場所： １F 実験室1
| 機 器 名・管 理 者 | 参 考 |
|---|---|
| Ｘ線回折装置 物質の同定や結晶構造を調べることができます。 定格電流：2～50 mA 定格電圧：，20～60 kV 2θ測角範囲：15～120 deg 管理者： 尹 友 内 線： 1740 yinyou[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
（株）リガク RINT2100-PC型 |
| インピーダンス／マテリアルアナライザ 先端材料のインピ－ダンス、誘電率、透磁率などを数MHzを超える高周波数領域（RF帯）で測定できます。 周波数範囲 ：1 MHz～1.8 GHz 周波数分解能：1 mHz 管理者： 尹 友 内 線： 1740 yinyou[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
（株）日本ヒュ－レット・パッカ－ド社 HP4291A型 |
| 高周波スパッタリング装置Ⅱ 高周波スパッタリングにより、磁性体、誘電体などの酸化物材料の薄膜を形成することができます。 ターゲット： 3 inchφ × 3 基板温度： 室温 ～ 700℃ スパッタガス： Ar/O2 管理者： 花屋 実 内 線： 1360 mhanaya[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本電子株式会社製 ＪＥＣ－ＳＰ３６０Ｒ |
| X線回折用極低温冷却装置 本装置をX線回折装置に設置することにより、12 K～300 K でのX線回折実験を行うことができます。 試料窓を石英ガラスに取り替えることにより光学測定も可能。 管理者： 花屋 実 内 線： 1360 mhanaya[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
岩谷瓦斯X線回折用ミニスタット CRT-006-7000-R |
| スペクトロフォト メーターシステム 単色光を照射し、透過・吸収・反射・発光スペクトルの測定に 利用可能。 ・波長領域：300～1000 nm ・同時測定可能な波長幅：535 nm 管理者： 花屋 実 内 線： 1360 mhanaya[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
分光計器 SM-25型単色光照射装置 分光計器 MK-300型ファインポリクロメータ  |
| イオンミリング装置 化学反応を伴わない物理的なエッチングプロセスの為、Au、 Pt、磁性材料、金属多層膜などを簡単に加工できる。 管理者： 尹 友 内 線： 1740 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
（株）伯東 |
設置場所： １F 実験室2
| 機 器 名・管 理 者 | 参 考 |
|---|---|
| SQUID磁力計（超伝導量子干渉計） 物質の磁化の強さ、帯磁率の大きさを測ることができます。 磁場範囲 -5T～5T 温度範囲 2K～400K 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本カンタムデザイン MPMS-5SW |
| 低温磁気ポーラーカー効果測定装置 薄膜の磁気カー回転角を測定できます。 磁場範囲 -1T～1T 温度範囲 10K～室温 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
溝尻光学工業製作所 PK2 |
| 超高周波透磁率測定装置 物質の透磁率の周波数依存性を測ることができます。 測定周波数 1MHz～3GHz 最大外部磁場 1kOe 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
凌和電子株式会社 PMF3000 |
| 粒度分布測定装置 0.03～1000μmの粒子の粒径を測ることができます。 必要液量 12cm3 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
島津製作所 SALD-2200 |
| 半導体パラメータアナライザ 半導体素子、超伝導素子、磁性素子などの新しい電子デバイスの開発及び高機能集積回路の開発・設計において、試作したデバイスの基本的な電気的特性を評価できます。 内蔵電圧源/電流源：4台、電圧源：2台 出力電圧/電流：100V～-100V/100mA～-100mA 電圧感度/電流感度：2μV/0.01pA 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
アジレントテクノロジー HP-4155B プローバー  |
| 超音波ワイヤーボンダー 試作半導体チップとプリント基板やICソケットとの問のAlやAu配線ができます。 ボンディング方式：超音波又は、サーモソニック方式 対応ワイヤー径：18μm～50μm（アルミ線、金線） 超音波周波数/出力：64kHz/最大4W 荷重：18～90g 取付可能チップ（基板）サイズ：2インチ 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
ウエスト・ボンド社 7476D |
| 走査型共焦点レーザ顕微鏡 共焦点レーザ光学系およびレーザ走査機構を備えたレーザ顕微鏡装置で、試料表面の二次元形状や焦点位置を変えて取得した画像を重ね合わせて三次元形状を測定できます 対物レンズ倍率：5x, 10x, 20x, 50x, 100x モニター上倍率：100～12,000倍 レーザ光源：紫色半導体レーザ（波長408 nm，出力0.9 mW） 最小分解能：0.12 mm 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
オリンパス LEXT OLS3000 |
| 紫外可視近赤外分光光度計 物質の光透過率（光吸収係数）および反射率を測定することができます。 波長範囲： 190 ～ 2500 nm a 管理者： 尾崎 俊二 内 線： 1715 shunji[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本分光 Ubest V-570-DS |
| 3D測定レーザー顕微鏡 試料表面の非接触での高分解能画像観察と高精度形状測定を行うことができます。 ・使用光源： 405nm 半導体レーザー ・最小測定分解能： 高さ方向0.01mm, 水平方向0.12mm ・測定機能： 表面粗さ計測，高さ・幅計測，3D 表示，膜厚測定，微分干渉観察など 管理者： 三浦 健太 内 線： 1797 mkenta[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
オリンパス OLS4000 |
設置場所： ２F シミュレーション室
| 機 器 名・管 理 者 |
|---|
| デバイス設計システム ・仕様（メーカー名、型式など） PC16台、デバイス設計システム（Spice), パワーエレクトロニクス設計システムSIMetrix/SIMPLIS) ・目的や概要 微少信号回路設計、パワーエレクトロニクス回路設計に必要な電子回路 シミュレーションが行える環境であり、研究、教育用途に使うことができる ・設置場所 2F 203 管理者： 弓仲 康史 内 線： 1790 yuminaka[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
設置場所： ３F 実験室3
| 機 器 名・管 理 者 | 参 考 |
|---|---|
| 光パルス試験器（OTDR）（光波評価測定システム） 光ファイバの欠陥を調べたり、この原理を利用した光計測などが行えます。 波長帯：1310/1550 nm デッドゾーン：10 m以下 管理者： 高橋 佳孝 内 線： 1749 taka[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本ヒューレット・パッカード HP8147 |
| 周波数/タイム・インターバル・アナライザ（光波評価測定システム） 周波数、位相および時間間隔を高速に測定することができます。 帯域：DC～500 MHz SS分解能：200 ps 管理者： 高橋 佳孝 内 線： 1749 taka[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本ヒューレット・パッカード HP5372 |
| 回折格子型光スぺクトラムアナライザ（光波評価測定システム） 光ファイバを介してスペクトルを測定することができます。 波長範囲：350～1750 nm入力端子：FCコネクタ 管理者： 高橋 佳孝 内 線： 1749 taka[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
アンリツ MS9030A+MS9701C |
| 光ファイバ融着器（光制御機器システム） 光ファイバを融着接続することができます。 適用ファイバ：クラッド径100～150 mm 被覆径： 0.1～1.0 mm 管理者： 高橋 佳孝 内 線： 1749 taka[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
住友電工 TYPE-300 |
| レーザ計測システム 仕様（メーカー名、型式など）： Vision Research社 Phantom Miro 目的や概要： 高速度カメラと実体顕微鏡、光照射システムを組み合わせたシステムで、微小な物体の高速な挙動を観測するために用いることができる 設置場所： ３F 301 管理者： 江田 廉 内 線： 1703 koda[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
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設置場所： ３F クリーンルーム1
| 機 器 名・管 理 者 | 参 考 |
|---|---|
| 金属MBE装置 電子ビーム２基 クヌードセンセル２基 基板加熱 室温～８００℃ 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本真空 MB96-1010 |
| 高周波スパッタリング装置Ⅰ 2インチのターゲット3個から3種類の構成成分からなる多層膜の作製が可能。 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本真空 MB96-1011 |
| マスクアライナー 紫外線を用いて試料に微細なパターンを転写・焼付する装置です。 露光方式：等倍片面露光式（コンタクト、プロキシミティ） 適応マスク：最大□4インチ ライン＆スペース：2μm程度 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
(株)ナノテック LA310G型 |
| 反応性イオンエッチング装置 電子線リソグラフィーにより半導体、金属、超伝導材料等の微細加工を行ない、マイクロデバイス及びマイクロマシンの作製に使用します。 使用ガス：SF、CF4、CHF3、C5F8、02、Ar プラズマ生成方式：電子サイクロトロン共鳴（ECR） マイクロ波出力：1kW 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
ニチメン電子工研 RSA-200 |
| ファインコータ （高周波スパッタリング装置） 高周波スパッタリングにより、金属、磁性体などの薄膜を形成できます。 試料ステージ：非反復回転、手動傾斜0～90° ターゲットサイズ：φ57 mm 到達真空度：1x10-3 Pa ガス：Ar 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本電子データム JFC-2300HR |
| ステンレス真空デシケータ ターゲット材料および作製した試料を約0.1 Torrの高真空下で、酸化を防止して長期保存することができます。 許容真空度(デシケータ)：約13.3 Pa（0.1 Torr） ポンプ排気速度（実効）：90 l/min ポンプ到達圧力：5.0 Pa（3.8×10-2 Torr） 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
アズワン SV-300 アルバック スクロール型ドライ真空ポンプ DIS-090  |
| 両面マスクアライナ 半導体プロセスのフォトリソグラフでレジスト塗布試料（ウェハ）に対して、露光を行う装置です。上下に二対のアライメント光学系が配置されていて、ウェハ裏面パターンに対応させて、表面にパターンを形成できます。 フォトマスクサイズ：5インチ、2.5インチ ウェハサイズ：不定形～φ4インチ 光源：250 W超高圧水銀灯（照明ムラ：±5%） アライメント精度：5 mm以下、解像度：3 mm L/S 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
ユニオン光学 PEM-800  |
| ナノ加工顕微鏡（集束イオンビーム装置） 集束イオンビーム（FIB）によるエッチングおよびカーボンでポジションを行うことで、試料の任意の位置にナノスケールの加工ができます。 最大観察倍率：30,000倍 像分解能：12 nm 加速電圧：30 kV 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
ユエスアイアイ・ナノテクノロジー SMI500  |
| 高周波スパッタリング装置ＩＶ 高周波スパッタリングにより、金属、絶縁体、磁性体などの薄膜を形成できる。 管理者： 尹 友 内 線： 1740 yinyou[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
（株）アルバック製 MNS-3000-RF |
設置場所： ３F クリーンルーム2
| 機 器 名・管 理 者 | 参 考 |
|---|---|
| 電子線描画装置Ⅰ 電子線リソグラフィーにより半導体、金属、超伝導材料等の微細加工を行ない、マイクロデバイス及びマイクロマシンの作製に使用します。 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本電子/東京テクノロジー JSM-5310/BeamDraw |
| 電子線描画装置Ⅱ 電子線リソグラフィにより、半導体、磁性材料等の表面に微細加工を行い、マイクロ・ナノメートルスケールの電子デバイス及び超高密度記録デバイスの作製に使用する。 管理者： 尹 友 内 線： 1740 yinyou[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日本電子、東京テクノロジーJSM-6500-F |
| ワイドエリア原子間力顕微鏡 試料表面の３次元形状計測 ファインモードの場合 走査範囲：0.1～10mm 走査分解能（ＸＹ）：0.15nm 高さ分解能（Ｚ）：1nm 管理者： 尹 友 内 線： 1740 yinyou[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
日立建機ファインテック（株）AFM WA0200 |
| 顕微ラマン分光装置 ラマン分光法による物性評価、物質の同定及び評価ができます。 測定周波数範囲(常用) 30～1500 cm-1 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
Jobin Yvon社 T64000TA-SS型 |
| レーザアブレーション装置 レーザーアブレーション法による高融点無機酸化物の薄膜作製ができます。 レーザー光源： Spectra-Physics社 PRO-270-10型 照射エネルギー：266 nm で160 mJ/plse、532 nm で900 mJ/plse 繰り返し周波数：10 Hz ビーム径：<10 mm 管理者： 櫻井 浩 内 線： 1714 sakuraih[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
Nd-YAGレーザー装置：Spectra-Physics社 PRO-270-10型 |
| 接触角計 固体表面の濡れ性、撥水性、表面張力などの測定ができます。 角度測定範囲：0~180° 測定精度：±1°, 試料寸法：150 mm´170 mm´10 mmt 試料重量：700 g以下 管理者： 曾根 逸人 内 線： 1719 hayatosone[@]gunma-u.ac.jp ※[@]を@にしてメールしてください。 |
協和界面科学社 CA-X |
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